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投200亿美元!Intel在俄亥俄州建芯片工厂

来源:快科技当地时间9月9日,Intel CEO基辛格宣布在美国俄亥俄州投资200亿美元新建大型晶圆厂,这是Intel IDM 2.0战略的一部分,整个投资计划高达1000亿美元,新工厂预计2025年

来源:快科技

当地时间9月9日,Intel CEO基辛格宣布在美国俄亥俄州投资200亿美元新建大型晶圆厂,这是Intel IDM 2.0战略的一部分,整个投资计划高达1000亿美元,新工厂预计2025年量产,届时“1.8nm”工艺将让Intel重新回到半导体领导者地位。

基辛格去年2月份担任Intel CEO以来,开始大力推动在美国及全球建厂,其中美国本土的投资至少超过400亿美元,去年已经在亚利桑那州投资200亿美元建晶圆厂,这次是在俄亥俄州同样投资200亿美元,还在新墨西哥州建设新的封测工厂。

Intel这座工厂也是美国通过528亿美元的芯片补贴法案之后本土新建的大型半导体芯片厂,为此美国总统也出席了开工仪式,还有俄亥俄州州长等地方部门高官。

Intel的芯片制造基地将有2座晶圆厂组成,最多可容纳8个厂房及配套的生态支持系统,占地面积将近1000英亩,也就是4平方公里之大,将创造3000个高薪工作岗位,7000多个建筑工岗位,以及数万个供应链合作岗位。

这两座晶圆厂预计会在2025年量产,Intel没有具体提到工厂的工艺水平,但是Intel之前表示要在4年内掌握5代CPU工艺,2024年就要量产20A及18A两代工艺,因此这里的工厂届时应该也会量产18A工艺。

20A、18A是全球首个达到埃米级的芯片工艺,相当于友商的2nm、1.8nm工艺,还会首发Intel两大黑科技技术Ribbon FET及PowerVia。

根据Intel所说,RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现,它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。

PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

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