靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来，靶材是制备功能薄膜的核心原材料，主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域，实现导电或阻挡等功能。2020年全球靶材市场规模约188亿美元，我国靶材市场规模为46亿美元。从供给来看，四家日美巨头占据80%靶材市场，国内溅射靶材主要应用于中低端产品，国产替代需求强烈。今天带来国内靶材龙头，让我们来看看该股的投资逻辑。
产业转移加速靶材国产替代，技术革新推动铜钽需求提升
半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域，纯度要求通常达5N5甚至6N以上。随着半导体产业加速向国内转移，预计25年我国半导体靶材市场规模将达到约6.7亿美元，21-25年我国靶材需求增速或达9.2%。同时随着下游芯片技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展，其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面，日美厂商约占90%份额，但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破，同时产能也在不断扩张，预计未来2-3年我国半导体靶材将新增10万块以上产能。
溅射靶材：PVD核心耗材，半导体领域技术壁垒最高
溅射工艺属于物理气相沉积（PVD）技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一，其利用离子源产生的离子，在真空中加速聚集成高速离子
流，轰击固体表面，离子和固体表面的原子发生动能交换，使固体表面的原子离开靶材并沉积在基材表面，从而形成纳米（或微米）薄膜。被轰击
的固体是溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。靶材质量的好坏对薄膜的性能起着至关重要的决定作用。
国产替代+产品迭代，我国显示面板靶材需求有望持续高速
FDP靶材根据工艺，可分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等，纯度和技术要求仅次于半导体，一般在4N甚至5N以上，但对靶材的焊接结合率、平整度等提出了更高要求。受益显示面板需求上涨和我国显示面板国产替代提升，预计25年我国FDP靶材市场规模将达50亿美元，21-25年CAGR为18.9%。此外我们也预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔。供给来看，我国显示面板靶材高度依赖进口，日企在国内市场仍然占据主导地位，国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主，国产替代正逐渐加速。
Hit量产元年开启，靶材或迎成长机遇期
光伏靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池，纯度一般在4N以上。随着HIT电池和薄膜电池的发展，预计25年我国市场规模将接近38亿美元，21-25年CAGR为56.1%。供给方面，由于国内薄膜电池及HIT电池市场规模尚小，相关靶材企业也较少，多处起步阶段。
趋势难逆，磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材
磁记录靶材则多以溅射法制作，常用材料为钴（3N）/镍/铁合金/铬/碲、硒（4N）/稀土-迁移金属（3N）等，主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场以海外供应为主，中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低，且记录媒体研发重心主要在半导体存储，我们预计传统机械键盘成长空间有限，磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。
溅射靶材产业链包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用四个环节高纯、超高纯金属是溅射靶材的基础，若靶材杂质过高则会影响导电性，甚至导致电路损坏。高纯金属提纯难度高，需要将物理提纯和化学提纯结合使用，经过熔炼、合金化和铸造等步骤，才能满足高纯度要求。目前该领域主要被日本三菱、H.CStark等海外公司垄断。
半导体领域用溅射靶材技术门槛最高
不同行业对靶材的纯度要求不同，半导体行业中靶材用于晶圆制造和芯片封装。溅射靶材用在晶圆制造的“金属化”过程中，主要用于制备导电层、阻挡层和接触层等，对靶材要求高纯度、高精度和高集成度。在封装中，溅射靶材用于键合线的镀层。
半导体芯片对靶材纯度要求达5N5（99.9995%）以上，价格也最为昂贵，平面显示器、太阳能电池对靶材纯度和技术要求略低，分别达到5N（99.999%）和4N5（99.995%）。
靶材制造所需工艺繁琐、技术难度较高
靶材制造环节首先需要根据下游应用领域的性能、需求进行特有的工艺设计，然后再进行反复的塑性变形、热处理等，过程中需要精确地控制晶粒、晶向等关键指标，再经过焊接、机械加工、清洗干燥、真空包装等工序。目前制备靶材的方法主要有铸造法和粉末冶金法。半导体用的超高纯溅射靶材过去被日矿、霍尼韦尔、东曹等公司垄断。
溅射镀膜是应用溅射法给物体表面镀膜，溅射镀膜的品质对下游产品的质量具有重要影响。
溅射靶材下游应用领域广泛，在半导体芯片（10%）、平面显示（34%）、信息存储（29%）、太阳能电池（21%）和智能玻璃（6%）等行业被广泛应用。
晶圆厂扩建热潮带来靶材需求增量，市场规模不断扩大
国内集成电路市场需求旺盛，贸易逆差巨大。17-21年中国集成电路产业高速发展，市场规模从17年5411亿增长至21年约10458亿元，CAGR为18%。中国集成电路需求旺盛，国内自给量不足，对外依赖度高。根据海关总署的统计数据，21年中国集成电路产品进口6354.8亿个，出口3107亿个，进口金额4325.5亿美元，出口金额1537.9亿美元，贸易逆差达2787.6亿美元，巨大的贸易逆差说明国内集成电路处于供不应求状态。
美国抑制行为加快半导体国产替代进程
18年以来美国商务部将多家中国知名科技企业及实体进行贸易制裁后，中国更加重视集成电路产业发展，政府出台多项政策，国产集成电路进入高速发展阶段。22年8月9日，美国签署《芯片与科学法案》，明文针对中国的投资限制，企图限制半导体企业在中国扩产28nm以下先进制程，欲将中国大陆排除在半导体供应链之外。法案的出台凸显出半导体供应链国产替代的重要性，或能进一步推动半导体行业国产替代。
中国大陆晶圆厂扩建潮，12英寸为当前投资主流
受益于下游终端应用市场蓬勃发展，目前中国是世界上最大的半导体消费市场。未来几年我国晶圆厂扩建步伐迅速，根据统计，21年中国大陆在全球晶圆产能中的份额达到16%，预计到24年份额将达到19%。目前我国在12英寸晶圆厂已投资数千亿美元，中芯国际、华虹、紫光、长鑫等10余条12英寸产线投入生产，技术水平不断提升；同时，国内的多数8英寸晶圆厂已经运行多年，但仍有中芯国际、士兰微等10条产线依然积极推进扩产、建设。
今天带来这么国内靶材龙头，让我们来看看该股的投资亮点：
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